ALD对照CVD淀积技术的优势

ALD对照CVD淀积技术的优势
ALD 适合制备很薄的高K金属氧化物层，对腔室的真空度要求比较高，对反应气体源及比例的要求也较高。
目前沉积速率还是比较慢，大大限制了其在工业上的推广应用，不过随着设备技术的不断进步，包括ALD系统，前景还是很值得期待的。
ALD 除了常规的半导体高K 材料，太阳能等领域，军事上的用途： MCP ， 热和快中子探测等领域。
应用范围会越来越广，只是，沉积速率，成本和价格的问题，在制约推广。
如果说严重不足应该是源的问题，不像CVD的源那样广

有了合适的源，ALD才能更好的发挥作用。
ALD发展是很迅速的，推广的步伐随着微电子及光伏的发展也在加快。现在的突出问题是其沉积速率低，源是一方面，但不是主要的。
由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
高k闸极介电质及金属闸极的ALD沉积对于先进逻辑晶片已成为标准，并且该技术正用于沉积间隔定义的双倍暨四倍光刻图样（SDDP、SDQP），用以推广传统浸润式微影的使用，以界定高密度逻辑，memory设计的最小特征尺寸。本产业正在转换到三维结构，进而导致关键薄膜层对ALD的需求。

过去在平面元件中，虽可使用几个PVD与CVD步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到FinFET元件，需要全方位的ALD解决方案。FinFET大小尺寸及控制关键元件参数，对后闸极（gate last）处理的需求&