可解离的准二维铁磁化合物在近年来引起研究人员的广泛关注,其中的代表性进展是单层CrGeTe3和CrI3长程铁磁序的发现,它为研究维度依赖的磁相变和高性能自旋电子器件提供了优良体系。新发现的准二维Fe3GaTe2具有高居里温度(Tc=342 K)和强垂直磁各向异性,Ga/Te原子与Fe原子的反铁磁耦合与强烈偏离巡游Stoner模型等行为表明Fe3GaTe2具有丰富物性和重要研究价值。
近期,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心A02组的博士生陈昭旭在郭建刚研究员指导下,通过标度分析与电磁输运对块材到二维极限下的Fe3GaTe2进行了系统研究。图1(a)给出了Fe3GaTe2的(00l)面衍射峰与晶体结构,其c=1.6112 nm。
对单晶减薄后,发现在厚度小于3 nm的样品中,出现了类似金属-半导体转变,10 K以下的电阻可以用Mott变程跃迁拟合,如图1(b)所示。在Deguchi-Takahashi图中,T0代表频率空间中动力学自旋涨落谱的能量宽度,当T0与Tc相近时,局域磁性占据主导。但块材Fe3GaTe2的Tc/T0为0.14,表明其为弱巡游铁磁性,Rhodes-Wohlfarth曲线分析同样支持这一结论,见图1(c)。