ACS Nano 综述：光控磁性与器件发展

英文原题：Perspectives: Light Control of Magnetism and Device Development

作者：Ning Fang, Changqing Wu, Yuzhe Zhang*, Zhongyu Li*, and Ziyao Zhou*

随着对数据存储密度和运行速度的需求不断增长，对传统介质以外控制磁化强度的要求也不断提高。在当前的半导体技术领域，器件尺寸越来越小的趋势导致单位散热量增加，这对信息处理速度和存储密度造成了极大限制。流行的冯诺依曼架构将存储和计算单元分开，这导致了组件之间频繁的数据传输，这种能源密集型过程会引入延迟，从而导致所谓的“内存墙瓶颈”，阻碍计算效率和速度。自旋电子学有望通过在处理速度和存储密度方面提供潜在的进步来克服这些挑战，从而解决内存墙的限制。在开发自旋电子学时，准确控制磁性材料的磁性状态是主要挑战。当前自旋电子学研究的主要目标是以节能的方式产生纯自旋电流。理想情况下，这些自旋电流应在不使用充电电流的情况下产生，否则会导致能量和磁损失。随着对能效和多功能性的需求不断增长，利用光调控磁性，以及将光伏材料整合到磁电系统中引入了更多物理效应。这一发展同时预示着未来阳光在操纵自旋方向中将发挥越来越重要的作用。因其高速、非接触和灵活性等特点，光控制磁性可以在快速磁存储和自旋电子学领域有着广阔的发展前景。光与磁相互作用的理论及应用自19世纪开始发展，发展过程中的里程碑在图1中得到了总结。