北京大学刘忠范院士团队最新AM,突破晶圆级石墨烯无裂纹转移

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5285241aed687796378054c50de04a8e.jpeg 第一作者:Mingpeng Shang

通讯作者:刘忠范,林立

通讯单位:北京大学

论文速览

针对石墨烯转移过程中存在的问题,如转移介质去除时可能导致的石墨烯表面污染、裂纹产生以及对空气中污染物的敏感性,本研究提出了一种新的解决方案。研究团队发现聚丙烯腈(PAN)可以作为一种聚合物介质,用于晶圆级石墨烯的转移,并作为封装层提供高性能的石墨烯器件。

值得注意的是,与传统的聚合物转移介质不同,PAN在后续应用中不需要被移除。本研究实现了将4英寸石墨烯无裂纹地转移到SiO2/Si晶片上,并制造了基于石墨烯的场效应晶体管(FET)阵列,这些阵列在室温下展现出无明显掺杂、高载流子迁移率(约11,000 cm² V⁻¹ s⁻¹)和长期稳定性。 

图文导读

b479ce463285185a480ac8344e18df4b.jpeg 图1:PAN辅助的晶圆级石墨烯转移过程。

  2065d9a361768a5a82c40baad02016eb.jpeg 图2:拉曼光谱分析了不同聚合物(PAN、PMMA、PC、PI)作为封装层时石墨烯的掺杂水平。

  ba5086a75d1c072de2637bea70410854.jpeg 图3:PAN覆盖的石墨烯在空气中暴露一周后的长期稳定性研究

  367644cbfc40ce69f2d6c474fff69869.jpeg 图4:PAN层的简便移除过程。

总结展望

本研究的亮点在于使用PAN作为石墨烯的转移介质和封装层,实现了晶圆级石墨烯的无裂纹转移,并显著提升了石墨烯器件的电子性能和长期稳定性。通过PAN辅助的转移过程,制造出的石墨烯基FET阵列展现出了高载流子迁移率和优秀的均匀性,满足了石墨烯电子学和光子学应用的基本要求。

此外,PAN层的有效封装为石墨烯器件提供了在空气中污染物下的长期保护。研究还展示了PAN层的简便移除方法,为石墨烯在传感器和微电子机械系统等应用中提供了可能。这项工作不仅为二维材料的转移过程设计提供了新概念,也为制造高性能二维材料器件提供了可靠的方法。

文献信息

标题:Polyacrylonitrile as an efficient transfer medium for wafer-scale transfer of graphene

期刊:Advanced Materials DOI:10.1002/adma.202402000

 

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