连续调谐半相干界面，控制CO2电还原选择性

近年来，人们付出了大量努力来制备用于选择性生产C1或C2+产物的铜基CO2RR串联催化剂。一些共催化剂(如Ag、Au和Pd)具有较低的O和H亲和力，它们对被吸附的CO的弱结合能有利于在低过电位下高选择性地将CO2转化为CO，随后生成的CO溢出到附近的Cu中心进行进一步的加氢或C-C耦合过程。这种串联催化反应的关键因素是异质结构中贵金属和Cu纳米结构的空间分布，这为调节催化剂表面上的关键反应中间体提供了一个机会，以优化CO2RR的选择性和活性。

然而，考虑到Cu与贵金属(>10%)之间的极大的晶格错配，异质结构(HSs)总是局限于具有固定接触界面的Au/Ag/Pd-Cu Janus，导致反应中间体的非剪切吸附能，因此只产生以C2H4为主的产物。这将极大地阻碍串联催化的选择性，并增加工业应用中电催化剂合成和设备的成本和复杂性。此外，异质界面接触面积与串联催化选择性之间的关系仍然不明确，这是提高CO2RR选择性的又一难题。