黄维院士团队,再发AM

728c1c287500ba7cface5d2add0f165e.jpeg第一作者:陈文宇,于宁宁,龚华强

通讯作者:黄维,林进义,安翔

通讯单位:南京工业大学

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黄维,教授、博导。中国科学院院士、俄罗斯科学院外籍院士、,美国国家工程院外籍院士、亚太材料科学院院士、东盟工程与技术科学院外籍院士、巴基斯坦科学院外籍院士、欧亚科学院院士。

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林进义, 博士,现任南京工业大学柔性电子(未来技术)学院教授、博士生导师,2014年在南京邮电大学获得信息材料博士学位,师从黄维院士和解令海教授。主要围绕宽禁带有机半导体及其光电器件开展相关基础研究。

 5d8839b93ea3a7ed976a7edcf665c8bd.jpeg安翔,博士后,林进义课题组组员,研究方向:蓝光共轭聚合物的结构设计与功能化改性。

论文速览

得益于潜在的链间互穿和缠结,新兴的本质上具有柔性性质的全π共轭聚合物(FπCPs)是柔性光电子领域有前景的功能性材料。然而,在为深蓝光柔性聚合物发光二极管(PLEDs)的应用中,同时获得具有内在坚固光电性能和出色的长期及循环变形稳定性的弹性-塑性FπCPs,仍然存在挑战。

本研究开发了一系列具有出色能量耗散能力的弹性-塑性全π共轭聚合物(FπCPs),用于制造超深蓝光柔性聚合物发光二极管(PLEDs)。这些新型FπCPs通过侧链内部塑化技术制备,展现出优异的力学性能和电致发光稳定性。研究团队特别强调了塑化侧链位置对聚合物的机械和电学性能的重要影响。

图文导读

c9ac69d52635d38581c72b4704fc4223.jpeg 图1:四种FπCPs薄膜的内在机械性能。

  569e4dc01797a9ce0da5feb4224e4659.jpeg 图2:四种聚合物在不同状态下的流变学特性。

  cc70291d767b934bbb68030eab1dc7f0.jpeg 图3:聚合物在不同状态下的光物理特性。

  ddf3441515eb591ca53aec311a06b6b8.jpeg 图4:基于四种聚合物的深蓝光PLEDs的性能。

  ef3698b30e78ee5ce17248398a9941bb.jpeg 图5:基于弹性-塑性P1薄膜的拉伸PLEDs的制备过程和设备性能。

总结展望
本研究成功制备了具有卓越能量耗散能力的弹性-塑性全π共轭聚合物,并应用于超深蓝光柔性PLEDs。这些聚合物薄膜的最大断裂应变达到34.6%,展现出优秀的内在能量耗散能力。基于这些聚合物的PLEDs表现出稳定的深蓝光发射,其外部量子效率(EQEmax)达到1.73%。

即使在30%的应变下,PLEDs的性能也仅受到轻微影响。经过1000次10%应变的循环拉伸测试后,PLEDs显示出稳定的设备性能,证明了其出色的能量耗散能力。这些发现为柔性发光光电器件的发展提供了重要的材料基础和设计思路。 

文献信息

标题:Elastic–Plastic Fully π-Conjugated Polymer with Excellent Energy Dissipation Capacity for Ultra-Deep Blue Flexible Polymer Light-Emitting Diodes with CIEy=0.04 

期刊:Advanced Materials DOI:10.1002/adma.202402708

 

汉字字库存储芯片扩展实验 # 汉字字库存储芯片扩展实验 ## 实验目的 1. 了解汉字字库的存储原理和结构 2. 掌握存储芯片扩展技术 3. 学习如何通过硬件扩展实现大容量汉字字库存储 ## 实验原理 ### 汉字字库存储基础 - 汉字通常采用点阵方式存储(如16×16、24×24、32×32点阵) - 每个汉字需要占用32字节(16×16)到128字节(32×32)不等的存储空间 - 国标GB2312-80包含6763个汉字,需要较大存储容量 ### 存储芯片扩展方法 1. **位扩展**:增加数据总线宽度 2. **字扩展**:增加存储单元数量 3. **混合扩展**:同时进行位扩展和字扩展 ## 实验设备 - 单片机开板(如STC89C52) - 存储芯片(如27C256、29C040等) - 逻辑门电路芯片(如74HC138、74HC373等) - 示波器、万用表等测试设备 - 连接线若干 ## 实验步骤 ### 1. 单芯片汉字存储实验 1. 连接27C256 EPROM芯片到单片机系统 2. 将16×16点阵汉字字库写入芯片 3. 编写程序读取并显示汉字 ### 2. 存储芯片字扩展实验 1. 使用地址译码器(如74HC138)扩展多片27C256 2. 将完整GB2312字库分布到各芯片中 3. 编写程序实现跨芯片汉字读取 ### 3. 存储芯片位扩展实验 1. 连接两片27C256实现16位数据总线扩展 2. 优化字库存储结构,提高读取速度 3. 测试并比较扩展前后的性能差异 ## 实验代码示例(单片机部分) ```c #include <reg52.h> #include <intrins.h> // 定义存储芯片控制引脚 sbit CE = P2^7; // 片选 sbit OE = P2^6; // 输出使能 sbit
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