中科院金属所任文才团队，最新Nature 子刊

第一作者：Chengjian He, Chuan Xu, Chen Chen

通讯作者：任文才

通讯单位：中国科学院金属研究所

   

任文才，中国科学院金属研究所研究员，国家杰出青年科学基金获得者。研究方向：石墨烯等二维原子晶体材料的制备、物性与应用。

论文速览

具有高热导率和电荷载流子迁移率的二维（2D）半导体对下一代电子和光电子设备极为重要，但受到长期遵循的Slack标准的约束，已报道的2D半导体，如二硫化钼（MoS2）、二硒化钨（WS2）、二硒化钼（MoSe2）、二碲化钨（WSe2）和黑磷的热导率远低于硅（约142 W m-1 K-1），由于它们的晶体结构复杂、平均原子量大以及化学键相对较弱。尽管晶体结构更为复杂，但最近出现的单层MoSi2N4半导体被预测同时具有高热导率和电荷载流子迁移率。

本论文研究了2D半导体材料MoSi2N4的热导率，这类材料对于下一代电子和光电子器件具有重要意义。尽管传统的Slack标准认为2D半导体如MoS2、WS2等的热导率应低于硅，但MoSi2N4却显示出异常高的热导率。

研究团队使用非接触式光热拉曼技术实验测量了室温下悬浮单层MoSi2N4的热导率达到约173 W m-1 K-1，远高于硅和已知的2D半导体。通过第一性原理计算揭示，MoSi2N4的高Debye温度和小Grünneisen参数是其高热导率的原因，这两个参数都强烈依赖于最外层Si-N双层引起的高杨氏模量。

该研究不仅将单层MoSi2N4确立为下一代电子和光电子设备的基准2D半导体，还为设计高效热传导的2D材料提供了思路。

图文导读

图1：CVD生长的MoSi2N4晶体的表征。

 

图2：单层MoSi2N4晶体在SiO2/Si基底上的拉曼特性。

 

图3：通过光热拉曼技术测量悬浮单层MoSi2N4晶体的热导率。

 

图4：单层MoSi2N4晶体的异常高热导率。

  图5：单层MoSi2N4异常高热导率的理论分析。

总结展望

本研究的亮点在于发现了单层MoSi2N4具有异常高的热导率，该发现不仅打破了传统的Slack标准，而且为设计具有高热导率的2D材料提供了新的方向。研究数据表明，MoSi2N4的热导率达到了约173 W m-1 K-1，远高于硅和其他已知的2D半导体。

此外，研究还揭示了MoSi2N4高热导率的机制，即高Debye温度和低Grünneisen参数，这些特性与材料的强化学键合和高杨氏模量密切相关。这些发现为未来利用MoSi2N4的高电荷载流子迁移率和热导率于电子和光电子设备的应用奠定了基础。

文献信息

标题：Unusually high thermal conductivity in suspended monolayer MoSi2N4

期刊：Nature Communications DOI：10.1038/s41467-024-48888-9