Atomic Layer Deposition原子层沉积技术

Atomic Layer Deposition原子层沉积技术
原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术。可以沉积均匀一致，厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术。其优势决定了具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。
原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜。与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，避免气相反应的过程。一个完整的ALD生长循环可以分为四个步骤：

1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附
2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体
3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料
4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物
使用者可通过设定循环次数或时间，实现原子级尺度厚度可控的薄膜沉积
技术优势。
相对于传统的沉积工艺，ALD技术具有以下明显的优势：
• 前驱体是饱和化学吸附，不需要控制反应物流量的均一性
• 沉积参数的高度可控，可实现生成大面积均匀性的薄膜
• 通过控制反应周期数，可简单精确地以原子层厚度精度，控制薄膜沉