Nature子刊:超小、高缺陷四价MOF纳米晶

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第一作者:Shan Dai

通讯作者:Antoine Tissot, Tatjana N. Parac-Vogt, Christian Serre

通讯单位:巴黎多孔材料研究所、诺曼底大学、萨克雷大学、比利时鲁汶大学

论文速览

晶体无机材料的尺寸和缺陷在许多应用中都非常重要,特别是在催化领域,因为它们通常会增强或出现新的特性。到目前为止,调制化学的策略还未能实现高质量功能性金属-有机框架(MOFs)纳米晶体的最小化尺寸同时展现出最大化的缺陷。

本文报告了一种通用的可持续策略,用于设计高度缺陷和超小型四价MOFs(锆、铪)晶体(尺寸为4-6纳米)。通过先进的表征技术,揭示了控制晶体生长机制的主要因素,并识别了缺陷的性质。

这些超小型纳米MOFs在肽水解反应中表现出卓越的性能,包括高反应性、选择性、扩散性、稳定性,并且仅通过改变反应溶剂,就能展现出对肽键形成的可调节的反应性和选择性。因此,这些高度缺陷的超小型M(IV)-MOFs颗粒为开发具有双重功能的多相MOF催化剂开辟了新的视角。

图文导读

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图1:MOF纳米粒子合成方法的比较:传统的调节剂诱导缺陷方法(MIDA)和本研究提出的新方法,用于合成超小型、高缺陷四价MOFs纳米粒子。

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图2:合成UiO-66纳米粒子的策略,以及不同体积乙醇条件下合成的UiO-66的粉末X射线衍射(PXRD)图谱、统计平均粒径、透射电子显微镜(TEM)图像、选区电子衍射(SAED)花样、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)图像、热重分析(TGA)曲线和77 K氮气吸附等温线。

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图3:通过原位傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了HD-US-UiO-66(5 nm)上的酸位点,展示了不同剂量下CD3CN吸附在HD-US-UiO-66上的FTIR光谱。

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图4:通过原位时间依赖动态光散射实验(TD-DLS)和原位高角环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)以及高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)图像,表征了MOF生长过程。

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图5:评估了HD-US-UiO-66-X在肽键水解和形成中的催化性能,包括肽水解反应的示意图、HD-US-UiO-66-NH2和MI-US-UiO-66-NH2纳米MOFs对甘氨酰甘氨酸(GG)水解反应的速率、HD-US-UiO-66-NH2和HD-200UiO-66-NH2水解反应的选择性、HD-US-UiO-66-NH2在5个反应周期中的可回收性以及HD-US-UiO-66和HD-US-UiO-66-NH2从甘氨酸(G)、甘氨酰甘氨酸(GG)和丙氨酰甘氨酸(AG)开始的酰胺键形成产率。

总结展望

本研究成功制备了一系列高缺陷(35-45%缺失连接体)和超小型(4-6纳米)的UiO-66基纳米晶体,并在完全可持续的条件下进行了合成,为扩大生产规模提供了可行性。通过原位时间依赖动态光散射(TD-DLS)和原位高角环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)/高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)等技术,证实了晶体生长是结晶过程中的瓶颈,并且可以通过简单地使用额外的溶剂来调控。

利用多种先进技术评估了缺失连接体缺陷,揭示了HD-US-UiO-66的Lewis酸性的重要性。所得的HD-US-UiO-66-X在肽键水解和形成中表现出优异的催化性能,与其他报道的材料相比,在催化反应性、选择性、产物回收效率和可回收性方面具有显著优势。对缺陷、粒径和功能化对纳米MOFs催化活性的影响进行了详细研究,为如何通过精确控制催化剂的性质来调节纳米MOFs的特定和选择性反应性提供了独特的见解。

因此,本研究的发现可能进一步促进纳米MOFs作为具有双重功能和在多个方面提高性能的多相催化剂的发展。

文献信息

标题:Highly defective ultra-small tetravalent MOF nanocrystals

期刊:Nature Communications


汉字字库存储芯片扩展实验 # 汉字字库存储芯片扩展实验 ## 实验目的 1. 了解汉字字库的存储原理和结构 2. 掌握存储芯片扩展技术 3. 学习如何通过硬件扩展实现大容量汉字字库存储 ## 实验原理 ### 汉字字库存储基础 - 汉字通常采用点阵方式存储(如16×16、24×24、32×32点阵) - 每个汉字需要占用32字节(16×16)到128字节(32×32)不等的存储空间 - 国标GB2312-80包含6763个汉字,需要较大存储容量 ### 存储芯片扩展方法 1. **位扩展**:增加数据总线宽度 2. **字扩展**:增加存储单元数量 3. **混合扩展**:同时进行位扩展和字扩展 ## 实验设备 - 单片机开发板(如STC89C52) - 存储芯片(如27C256、29C040等) - 逻辑门电路芯片(如74HC138、74HC373等) - 示波器、万用表等测试设备 - 连接线若干 ## 实验步骤 ### 1. 单芯片汉字存储实验 1. 连接27C256 EPROM芯片到单片机系统 2. 将16×16点阵汉字字库写入芯片 3. 编写程序读取并显示汉字 ### 2. 存储芯片字扩展实验 1. 使用地址译码器(如74HC138)扩展多片27C256 2. 将完整GB2312字库分布到各芯片中 3. 编写程序实现跨芯片汉字读取 ### 3. 存储芯片位扩展实验 1. 连接两片27C256实现16位数据总线扩展 2. 优化字库存储结构,提读取速度 3. 测试并比较扩展前后的性能差异 ## 实验代码示例(单片机部分) ```c #include <reg52.h> #include <intrins.h> // 定义存储芯片控制引脚 sbit CE = P2^7; // 片选 sbit OE = P2^6; // 输出使能 sbit
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