CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域

最新推荐文章于 2024-04-14 22:01:56 发布
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分类专栏： 集成电路 芯片 现场联调&调参
吴建明
本文链接：https://blog.csdn.net/wujianing_110117/article/details/116906681
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CVD和ALD薄膜沉积技术广泛应用于OLED封装、微电子、医疗器械和能源环境等领域。在微电子中，它们提升器件稳定性；在医疗器械中，改善生物医疗用品表面特性；在能源与环境领域，主要用于沉积高k介质层，以及在柔性卷材上沉积水氧阻隔层。态锐仪器提供了各类ALD设备，适用于不同应用场景。

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CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域
显示
用于OLED、QD-OLED、甚至未来QLED的薄膜封装，通过有机/无机叠层结构的保护，水汽渗透率WVTR可降至10-5g/m2/day，保证OLED或者量子点发光材料的稳定。另外量子点光学膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜，保护量子点不受水氧破坏。
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微电子
在包括miniLED、microLED、MMIC（Monolithic microwave integrated circuit单片微波集成电路）在内的微电子封装领域，越来越多的研究表明，使用wafer level的薄膜封装工艺，能够大幅提升器件在严苛环境下的工作稳定性，这对于微电子设备的微型化、集成化是非常重要的保证。
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医疗器械
CVD、ALD等薄膜沉积技术，可以高效地根据设计需求改变培养皿、采血管、微流道器件、疫苗瓶等生物医疗用品的表面特性，达到促进细胞固定、抗生物吸附、适应多种溶剂、防止生物污染等效果。
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能源与环境

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ALD对照CVD淀积技术的优势 ALD 适合制备很薄的高K金属氧化物层，对腔室的真空度要求比较高，对反应气体源及比例的要求也较高。 目前沉积速率还是比较慢，大大限制了其在工业上的推广应用，不过随着设备技术的不断进步，包括ALD系统，前景还是很值得期待的。 ALD 除了常规的半导体高K 材料，太阳能等领域，军事上的用途： MCP ， 热和快中子探测等领域。 应用范围会越来越广，只是，沉积速率，成本和价格的问题，在制约推广。 如果说严重不足应该是源的问题，不像CVD的源那样广 有了合适的源，ALD才能更好的发挥
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相比于在大气压下进行的CVD（也称为APCVD），低压环境可以减少气体的碰撞和散射，从而提高沉积速率和膜的均匀性。化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，）是一种用于制造半导体薄膜常用的手段，CVD可以用于沉积各种类型的材料，包括绝缘体、半导体和导体。ALD的工作原理基于自限反应。一个知识分享的社区，陆续上传一些芯片制造各工序，封装与测试各工序，建厂方面的知识，供应商信息，以及大量的半导体行业资料，针对性地解答一些疑问，内容远远丰富于日常发的文章，帮助各位抓住目前半导体的风口。
原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）微电子制造铜金属化的研究进展
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ALD和CVD晶体管薄膜技术
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ALD和CVD晶体管薄膜技术 现代微处理器内的晶体管非常微小，晶体管中的一些关键薄膜层甚至只有几个原子的厚度，光是英文句点的大小就够容纳一百万个晶体管还绰绰有余。ALD 是使这些极细微结构越来越普遍的一种技术。 ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料，一次沉积单层薄膜几分之一的厚度，以尽可能生成最薄、最均匀的薄膜。工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力，是其成为微缩与 3D 技术推动因素的基础。自限式表面反应让原子级沉积控制成为可能：薄膜厚度仅取决于执行的反应周期数。表面控制会使薄膜保持极佳的共形性和均匀厚度，这
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