VASP实用教程:解读VASP手册(八)

本文详细解释了VASP中k点设置的关键要素,包括选择适当数量的k点、smearing方法(如四面体和Methfessel-Paxton),以及针对金属、半导体和绝缘体的不同处理策略。特别强调了Blöchl修正的四面体方法和k点取样建议,旨在帮助用户优化计算精度。

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本章教程将为大家解读VASP手册关于k点的部分教程。前面的教程已经讲过如何设置k点以及准备KPOINTS文件,今天这篇教程和大家讲解一下k点设置的一些注意事项。

  • Number of k-points, and method for smearing

计算所需的k点数主要取决于所需的精度以及系统是具有金属性。 k点网格和“smearing”是紧密相关的 对于半导体或绝缘体,始终使用四面体方法(ISMEAR = -5),如果单胞太大而无法使用四面体方法,则使用ISMEAR = 0。 对于金属体系的弛豫,请始终使用ISMEAR = 1和适当的SIGMA值(以便每个原子的熵项小于1 meV)。注意:避免将ISMEAR> 0用于半导体和绝缘体,可能会出现问题。 对于DOS和非常精确的总能量计算(金属不弛豫)使用四面体法(ISMEAR = -5)。 如果可能的话,推荐使用Blöchl修正的四面体方法(ISMEAR = -5),这个方法简单安全,不需要经验参数。尤其是对于大体积材料,通过这种方法能得到高精度的结果。 e69c98fac2a117933ced488618043d93.jpeg Blöchl修正的四面体方法需要较大数量的k点。K点的数量在不可约部分的布里渊区(IRBZ)可能会很少。在IRBZ,包含1331个k点的fcc/bcc和sc 的11×11×11结构可以减少到56个k点。 c432a578c7f82bdd95471cd67476992b.jpeg 但是并不是所有的情况都可以用四面体方法,如果k点数目小于3或者对力的精度要求很高,则需要使用Methfessel-Paxton方法,计算金属时取N=1,计算半导体时取N=0,同时SIGMA取值要尽量大,但是自由能和总能(OUTCAR里面的entropy T*S)的差必须小(小于1-2meV/per atom)。这里需要注意的是,检查是否是熵导致的问题的一个好方法是比较不同情况下的熵。
  • K点取样的建议

k网格过Γ点,则采用偶数个的k点。 Methfessel-Paxton方法,采用奇数个的k点。 若体系没有对称性,则使用何种k-mesh与奇偶无关。一般考虑包括Γ点的k-mesh,即G-mesh。 一般情况下,对于体系较大的系统(a、b、c均大于10Å),k点设置取Γ点即可。 以上是本章教程的全部内容,大家在进行计算任务的时候遇到k点取样的相关问题可以查找本教程。
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