反铁磁序中自旋涨落引起的自旋霍尔效应增强

自旋霍尔效应(SHE)可借助自旋轨道耦合作用将电流转换成纯自旋流，而后者可被进一步用于驱动磁矩反转或进动，即自旋轨道力矩(SOT)效应。它成为工业界第三代自旋轨道力矩型磁随机存储器(SOT-MRAM)的物理基础。

2009年，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心率先申请并获批了SOT-MRAM领域的首个原创专利[陈军养、韩秀峰等，发明专利授权号:CN200910076048.X]，在其中发明了自旋流产生层/磁性金属层和自旋流产生层/磁性隧道结等两种核心结构。

这两种结构已然成为后续SOT效应研究和SOT-MRAM器件开发的核心单元结构。在此基础上，在过去的十多年中，人们尝试进一步优化自旋流产生层，使其具有更高的电流-自旋流转换效率—自旋霍尔角、零磁场下超快脉冲电流驱动磁矩翻转的能力、更高的电导率等，最终使数据非易失的SOT-MRAM具有更低的能耗(pJ~fJ)、更快的速度(< 1ns)和更长的循环寿命(>1012&nbsp;~ 1015)等优异的综合性能。&nbsp;

自旋霍尔效应源于材料中原子固有的自旋轨道耦合作用，它可以通过三种微观机制产生，包括能带结构依赖的本征机制(Intrinsic mechanism)和散射相关的边跳(Side jump)机制和斜散射(Skew scattering)机制，后者为增强自旋霍尔效应拓宽了除优选重金属单质之外更多的元素及其合金和化合物的设计空间。

在此过程中，人们尝试了诸多方法来增强自旋霍尔效应，包括轻重金属元素的合金化、超薄金属叠层结构等等。这些设计的物理基础是在复合材料中引入更多自旋轨道耦合相关的杂质散射中心。不过，自旋轨道耦合相关的散射&#