结晶二维氮化物半导体的室温铁磁性与压电性

背景介绍

二维压电铁磁半导体材料在信息存储和量子计算等应用领域具有重要的应用前景。然而，目前报道的大部分二维压电铁磁半导体材料的居里温度都远远低于室温，这极大地限制了它们的实际应用。因此，寻找新型具有室温以上磁有序的二维压电半导体材料对于信息存储和量子计算领域的发展具有重要意义。二维氮化碳基宽禁带半导体材料具有长的自旋扩散长度，在信息存储器件中有巨大的应用前景。

前期的研究证实，其在室温条件下具有较强的面内压电性，这归因于非中心对称的三角形纳米孔。然而该材料本身没有未配对电子，表现为本征抗磁性，这限制了其在信息存储器件中的应用。究其原因在于，目前制备的二维氮化碳为非晶态且有很多氨基，这限制了其本征磁性。因此，制备出高结晶性的二维氮化碳进而研究其本征磁性、压电性具有重要意义。

成果简介

近日，西安电子科技大学郝跃院士团队刘艳教授、王勇副教授通过改变前驱体以及热缩聚参数，成功制备出高结晶二维氮化碳。结构表证和理论计算证实：i）样品表现出半导体属性（带隙为 1.8 eV），同时结构发生反演对称性破缺；ii）在高度有序的七嗪结构中引入了C-O-C键，进而获得局域自旋并实现磁有序，从而获得强的室温铁磁性；iii) 结晶氮化碳在室温下表现出压电和铁磁特性，同时应力可以有效调控室温下的磁性行为和压电势。该研究工作可为二维半导体材料的室温铁磁性与压电性研究提供一定的参考价值，有望为信息存储和量子计算等应用领域提供更好的解决方案。

图文导读