TSMC台积电各种制程工艺技术

TSMC台积电各种制程工艺技术
台积电在半导体制造行业的专用 IC 代工领域拥有最广泛的技术和服务。IC Industry Foundation 战略体现了一种集成方法，将工艺技术选项和服务捆绑在一起。
台积电与合作伙伴合作，确保支持这些技术的所有服务代表专用 IC 代工领域的最佳实践。为此，台积电及其生态系统合作伙伴提供最大的经过工艺验证的 IP 和库组合，以及 IC 行业最先进的设计生态系统，即开放式创新平台® (OIP)。
台积电提供最先进、最全面的专用代工工艺技术组合。

台积电的 3nm 技术 (N3) ，5nm 技术 (N5) 的另一个完整节点，并在推出时提供 PPA 和晶体管技术中最先进的代工技术。与 N5 技术相比，N3 技术将提供高达 70% 的逻辑密度增益，相同功率下高达 15% 的速度提升，以及相同速度下高达 30% 的功耗降低。N3技术发展步入正轨，进展良好。N3 技术将为移动和 HPC 应用程序，提供完整的平台支持，预计 2021 年将收到多个客户产品流片。此外，批量生产的目标是 2022 年下半年。
台积电的 5nm (N5) 鳍式场效应晶体管 (FinFET) 技术于 2020 年第二季度成功进入量产，并在 2020 年下半年经历了强劲的增长。
台积电的 N5 技术是台积电第二个可用的 EUV 工艺技术，以帮助客户在智能手机和 HPC 应用中进行创新。作为代工行业最先进、性能、功耗和面积（PPA）最佳的解决方案，N5技术比N7技术提供约20%的速度或约40%的功耗降低。N5 技术进一步扩展了客户产品组合，并增加了目标市场。
此外，台积电计划推出4nm（N4）技术，这是N5技术的增强版。N4 进一步增强了下一波 N5 产品的性能、功率和密度。N4技术开发如期进行，进展良好，预计2022年开始量产。
台积电的7nm翅片场效应晶体管（FinFET）（N7）工艺技术通过在2016年6月以两位数的产量交付256Mb SRAM，为7nm工艺技术的发展设定了行业步伐。2019年，在N7工艺节点批量生产的第二年，客户在N7上录制了110多种新一代产品。此外，7nm FinFET plus（N7+）技术于2019年进入全面生产，并向客户大量交付7nm产品。N7+技术是世界上第一种商用极紫外EUV铸造制造工艺技术。成功证明了TSMC世界领先的EUV体积生