台积电TSMC一些技术特点

台积电的3DFabric技术包括前端的TSMC-SoIC和后端的CoWoS、InFO等封装技术,为AI、自动驾驶等现代工作负载提供高性能、低延迟和成本效益。3D Fabric技术通过小芯片设计加速创新,提升系统性能和效率,减少产品外形尺寸。同时,台积电的非易失性存储器解决方案,如SOT-MRAM,为神经形态计算和高效能计算带来新机遇。

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台积电TSMC一些技术特点
TSMC 3DFabric™,这是全面的 3D 硅堆叠和先进封装技术系列。3DFabric™ 补充了先进的半导体技术,以释放客户的创新。
封装技术曾经被认为只是后端流程,几乎是一种不便。时代变了。计算工作负载在过去十年中的发展,可能比前四个十年要大。云计算,大数据分析,人工智能 (AI),神经网络训练,人工智能推理,先进智能手机上的移动计算,甚至自动驾驶汽车,都在推动计算极限。
现代工作负载将封装技术推向了创新的前沿,对产品的性能,功能和成本至关重要。这些现代工作负载推动产品设计采用更全面的系统级优化方法。3DFabric™ 为客户提供了自由和优势,可以更全面地将产品设计为一个微型芯片系统,与设计更大的单片芯片相比,该系统具有关键优势。
TSMC 的 3DFabric™ 由前端和后端技术组成。前端技术或 TSMC-SoIC™(集成芯片系统)使用领先的硅晶圆厂的精度和方法,用于 3D 硅堆叠。台积电还拥有多个专门的后端晶圆厂,用于组装和测试硅芯片,包括 3D 堆叠芯片,并将加工成封装设备。TSMC 3DFabric 的后端技术包括 CoWoS ®和 InFO 系列封装技术。
TSMC 的 3DFabric 为客户提供产品设计的终极灵活性,将封装技术带到创新的前沿,并且对产品的性能,功能和成本至关重要:
上市时间: 客户可以重复使用不经常更改或不能很好扩展的技术块来开发“小芯片”,从而加快创新并缩短上市时间
性能和效率: 3DFabric 允许将高密度互连芯片集成到封装模块中,从而提供更高的带宽,延迟和电源效率
外形 尺寸:将各种逻辑,内存或专用芯片与 SOC 集成,为各种应

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