木士春教授: 双金属抑制4.6V高压单晶高镍氧释放

武汉理工大学木士春教授团队提出了一种利用双金属元素策略,有效抑制高镍单晶正极材料在高压工作条件下的氧释放问题,显著改善了电化学性能和安全性。通过Al和Nb掺杂,文章展示了材料的结构优化和性能提升,为高电压锂离子电池的发展提供了新思路。

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文 章 信 息

双金属抑制4.6V高压单晶高镍氧释放的策略

第一作者:田金赛,王冠

通讯作者:木士春*

单位:武汉理工大学

 

研 究 背 景

LiNixCoyMn1-x-yO2(NCM)在3至4.3V的窄电压窗口内具有高达700Wh Kg-1的能量密度,因此成为一种非常有吸引力锂离子电池正极材料。但是,越来越多的研究表明,当提高工作截止电压来获得更高的能量时,其中不可避免的氧气产生将会导致电池性能快速退化并带来安全隐患,这在高镍三元材料中尤为突出。在高SoC下,氧阴离子的能量状态可以随着高度氧化的Ni阳离子的存在而提高。因此,氧阴离子被迫参与氧化过程,代价是可逆性受损,最终导致O2气体的释放。这种析氧过程通常在颗粒表面和晶格内展开,最终导致低容量岩盐结构的形成和生长,以及粒内裂纹的扩展。因此,同步解决界面和晶格不稳定性是抑制高镍层状正极材料中氧释放的关键。

 

文 章 简 介

近日,武汉理工大学木士春教授在国际知名期刊Energy Storage Materials上发表题为“A Bimetal Strategy for Suppressing Oxygen Release of 4.6V High-voltage Single-crystal High-nickel Cathode”的观点文章。针对富镍单晶正极材料在高截止工作电压下晶格氧的不可逆释放问题,该观点文章提出了一种利用双金属元素抑制高压条件下富镍正极材料氧气释放的有效策略。经过改性后的正极材料,在3-4.6V的电压窗口内可长时间稳定工作,而且初次循环过程中的氧释放得到有效的抑制。

 

本 文 要 点

要点一:AN-SNCM的结构表征

使用Al(NO3)3•9H2O 和 C10H25NbO5分别作为Al和Nb源,采用溶胶凝胶法将Al和Nb源与单晶NCM811均匀混合;随后进行高温退火处理,使Al和Nb元素向晶格内部扩散。由于扩散势垒的差异,使得Al可以均匀地掺杂到体相中,而Nb元素则停留并富集在晶粒的表面处,形成LiNbO3涂层。


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Figure 1. (a) XRD patterns of SNCM and AN-SNCM. (b and c) SEM images of micron-sized SNCM and AN-SNCM particles. (d) HAADF-STEM image and corresponding SEAD patterns of AN-SNCM. (e-g) TEM of AN-SNCM particle surface. (h) HADDF image of AN-SNCM and TEM-EDS element mapping results of Ni, Al, Nb. (i-j) XPS patterns with a different etching time of Al 2p, Nb 3d for AN-SNCM.

 

要点二:AN-SNCM首圈的库伦效率得到提高,在3-4.6V循环200圈后容量保持率达到89.1%(VS初始79.5%),DEMS的测试结果表明初始循环过程中的氧释放问题得到了有效解决,防止了电池工作中潜在的安全隐患。


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Figure 2. Electrochemical performance of coin type batteries with SNCM and AN-SNCM cathodes in the voltage range of 25 ℃, 3-4.6 V. (a)Initial charge discharge curves of original SNCM and AN-SNCM cathodes. (b) Performance curve for 200 cycles at 1C current density. (c) - (d) dQ/dV spectra of two cathodes derived from Figure 2b. (e) Cycling performance of two cathodes at 3C current density. (f)-(g) Gas evolution profiles of CO2 and O2during the second galvanostatic charge process of SNCM and AN-SNCM electrodes.

 

要点三:AN-SNCM正极在循环工作中的H2-H3相变过程缓和,晶包参数c和体积变化更小,有效地释放了内部应变,防止了由于晶格畸变而导致的结构解体。

电化学原位XRD显示了AN-SNCM正极在充放电过程中晶体结构的演变,其晶格收缩率(Δc)仅为3.18%;同样,AN-SNCM的晶格体积演变也小于SNCM(4.60%对7.63%)。晶胞的体积变化反映出内部应力应变的积累,这是造成正极颗粒结构崩塌的主要原因。循环后的TEM结果更加直观的说明了裂纹对结构退化的影响。


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Figure 3. Phase transition during cyclic processes. Operando XRD characterization of the full contour plots and selected line patterns for (a) SNCM and (b) AN-SNCM cathodes during the initial cycle in the voltage range of 3-4.6 V, 0.2C. The variation of the c-axis and cell volume parameter during charging for pristine (c)SNCM and (d)AN-SNCM.


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Figure 4. (a-h) HAADF-STEM images of SNCM and AN-SNCM particle cross-sections prepared by FIB after 200 cycles at 1C and 4.6V. (i-j) EELS line scanning of Ni and O elements from the surface to the interior of particles.

 

要点四:正极界面电解质界面处的C2HO-、磷化物(PO3-、C2P-)、C2F-和LiF2-等有机物含量显著降低。

由于原始NCM(SNCM)在4.6V高压脱锂状态下的不稳定性,副反应将会在SNCM和有机电解质之间发生,导致有机电解质分解。副产物的不断积累会使正极侧CEI膜的组成和结构更加复杂,从而增加阻抗,不利于锂离子的快速扩散。同时,副反应也会加速Ni/Co/Mn等过渡金属离子的溶解,导致其表面结构退化,并在CEI膜内层形成过渡金属氟化物(如NiF3−、CoF3−、 MnF3−)。

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Figure 5. Normalized TOF-SIMS depth maps of SNCM and AN-SNCM cathode CEI after 150 cycles at 3-4.6 V and 1C, respectively. (a) TOF-SIMS depth maps of CH2O−, PO3−, LiF2− and NiF3− species; (b) 3D rendering (CH2O−, PO3−, LiF2− and NiF3−) concentration distribution composition; (c) Chemical imaging of TOF-SIMS on SNCM and AN-SNCM cathode surfaces (CH2O−, PO3−,LiF2− and NiF3−). (d)Phase transition during the In-situ high-temperature XRD patterns, and (e)Differential scanning calorimetry profiles when charged to 4.6V of SNCM and AN-SNCM.

 

要点五:Al的掺杂可以有效缓解晶格氧的电荷损失,使得O:2p费米能级以上的未占据轨道显著减少;其次,差分电荷密度结果表明,Al的加入增加了周围过渡金属元素的电荷密度,系统中的TM-O键得到了加强,结构变得更加稳定。由于在表面引入Nb,Nb-O键可以为O原子提供额外的负价态变化,并缓解O氧化以进行电荷补偿,从而赋予强大的稳定作用。

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Figure 6. DFT calculation of the effect of doping on the structure and electronic states of the system. (a) Formation energy for replacing Ni, Co, or Mn ions both surface (Sur.) and bulk layer (Bulk) with Al or Nb ions. (b-c) The calculated projected density of states of Ni:3d, O:2p and the total density of states plots of SNCM and AN-SNCM. (d-e) The calculated projected density of states of O 2p and 2D contour maps of charge density distribution.


文 章 链 接

A Bimetal Strategy for Suppressing Oxygen Release of 4.6V High-voltage Single-crystal High-nickel Cathode

 

通 讯 作 者 简 介

木士春教授,武汉理工大学首席教授,博士生导师,国家级高层次人才。长期致力于锂离子电池材料、电解水制氢和质子交换膜燃料电池催化剂研究。以第一作者或通讯作者在Nat. Commun.、Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Angew. Chem. Int. Ed.、Energy Environ. Sci.、Nano Lett等国内外期刊上发表300余篇高质量学术论文。

 

标题“51单片机通过MPU6050-DMP获取姿态角例程”解 “51单片机通过MPU6050-DMP获取姿态角例程”是一个基于51系列单片机(一种常见的8位微控制器)的程序示例,用于读取MPU6050传感器的数据,并通过其内置的数字运动处理器(DMP)计算设备的姿态角(如倾斜角度、旋转角度等)。MPU6050是一款集成三轴加速度计和三轴陀螺仪的六自由度传感器,广泛应用于运动控制和姿态检测领域。该例程利用MPU6050的DMP功能,由DMP处理复杂的运动学算法,例如姿态融合,将加速度计和陀螺仪的数据进行整合,从而提供稳定且实时的姿态估计,减轻主控MCU的计算负担。最终,姿态角数据通过LCD1602显示屏以字符形式可视化展示,为用户提供直观的反馈。 从标签“51单片机 6050”可知,该项目主要涉及51单片机和MPU6050传感器这两个关键硬件组件。51单片机基于8051内核,因编程简单、成本低而被广泛应用;MPU6050作为惯性测量单元(IMU),可测量设备的线性和角速度。文件名“51-DMP-NET”可能表示这是一个与51单片机及DMP相关的网络资源或代码库,其中可能包含C语言等适合51单片机的编程语言的源代码、配置文件、用户手册、示例程序,以及可能的调试工具或IDE项目文件。 实现该项目需以下步骤:首先是硬件连接,将51单片机与MPU6050通过I2C接口正确连接,同时将LCD1602连接到51单片机的串行数据线和控制线上;接着是初始化设置,配置51单片机的I/O端口,初始化I2C通信协议,设置MPU6050的工作模式和数据输出速率;然后是DMP配置,启用MPU6050的DMP功能,加载预编译的DMP固件,并设置DMP输出数据的中断;之后是数据读取,通过中断服务程序从DMP接收姿态角数据,数据通常以四元数或欧拉角形式呈现;再接着是数据显示,将姿态角数据转换为可读的度数格
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