PVD与CVD性能比较

PVD与CVD性能比较
CVD定义：
通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。
CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。
影响台阶覆盖性的关键在于气相沉积技术的“绕镀性”。
气相沉积技术按照其原理可以分为化学气相沉积(CVD, Chemical Vapor Deposition)和物理气相沉积(PVD, Physical Vapor Deposition)。
CVD相对于PVD，有什么优点？
跟材料特性相关的性质——结晶性和理想配比都比较好
薄膜成分和膜厚容易控制
*淀积温度低
*台阶覆盖性好（step coverage)
化学气相淀积系统
气态源或液态源
气体输入管道
气体流量控制系统
反应室
基座加热及控制系统
温度控制及测量系统
减压系统（LPCVD和PECVD)
CVD系统的分类
常压化学气相淀积(APCVD)
低压化学气相淀积(LPCVD)
等离子增强化学气相淀积(PECVD)
化学气相沉积(CVD)
CVD 是利用等离子体激励、加热等方法，使反应物质在一定温度和气态条件下，发生化学反应并以生成的固态物质，沉积在适当位置的基体表面，进而制得的固态薄膜或涂层的工艺技术。
优点: CVD 可以在真空低的条件下沉积涂层，各种氮化物、碳化物、氧化物、硼化物、硅化物涂层的制备，可在低于其熔点，或分解温度的沉积温度下进行，设备简单，同一种膜的制备可选用不同的化学反应，灵活性比较大࿰