工艺技术：14nm与28nm工艺

工艺技术：14nm与28nm工艺
中芯国际，用成熟可靠的工艺技术实现日趋精细复杂的芯片设计，从而让产品在具备更高性能和更低功耗的同时，实现芯片尺寸的优化。
为了满足全球客户的不同需求，提供0.35微米到14纳米制程工艺设计和制造服务，包括逻辑电路、混合信号/CMOS射频电路、高压电路、系统级芯片、闪存内存、EEPROM、影像传感器，以及硅上液晶微显示技术。*
拥有强大高效率的制造能力、强调成本效益的原型技术以及含 光罩制造 在内的全方位高附加值服务，旨在帮助客户实现产品快速上市，并降低成本。
*中芯的制造过程与技术符合最高的业界标准；与一般的晶圆代工业界标准都兼容。中芯国际从未声明过，制程是根据任何一家公司、或是与任何一家公司相仿、相符等。
14纳米
中芯国际第一代14纳米FinFET技术取得了突破性进展，并于2019年第四季度进入量产，代表了中国大陆自主研发集成电路的最先进水平。
特点

应用产品
公司研发的FinFET技术将主要应用于5G、人工智能、物联网、消费电子及汽车电子等新兴领域，仍在进一步扩大公司产品和服务的应用范围。

28纳米
技术简介
中芯国际是中国大陆第一家提供28纳米先进工艺制程的纯晶圆代工企业。中芯国际的28纳米技术是业界主流技术，包含传统的多晶硅（PolySiON）和后闸极的高介电常数金属闸极（HKMG